Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
STP80N10F7

STP80N10F7

MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Numărul piesei
STP80N10F7
Producator/Marca
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-220-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-220
Disiparea puterii (max.)
110W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 50V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 10434 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale STP80N10F7
STP80N10F7 Componente electronice
STP80N10F7 Vânzări
STP80N10F7 Furnizor
STP80N10F7 Distribuitor
STP80N10F7 Tabel de date
STP80N10F7 Fotografii
STP80N10F7 Preț
STP80N10F7 Oferi
STP80N10F7 Cel mai mic pret
STP80N10F7 Căutare
STP80N10F7 Achizitie
STP80N10F7 Chip