Buy Rohm Semiconductor RW1C020UNT2R MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

RW1C020UNT2R

MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Numărul piesei

RW1C020UNT2R

Producator/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SOT-563, SOT-666

Pachetul dispozitivului furnizorului

6-WEMT

Disiparea puterii (max.)

400mW (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 49639 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

RW1C015UNT2R

MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6