Buy Rohm Semiconductor RUC002N05HZGT116 1.2V DRIVE NCH MOSFET

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

RUC002N05HZGT116

1.2V DRIVE NCH MOSFET

Numărul piesei

RUC002N05HZGT116

Producator/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

SST3

Disiparea puterii (max.)

350mW (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

50V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 25685 PCS

Informații de contact