Buy Rohm Semiconductor RD3T100CNTL1 NCH 200V 10A POWER MOSFET

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

RD3T100CNTL1

NCH 200V 10A POWER MOSFET

Numărul piesei

RD3T100CNTL1

Producator/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-252

Disiparea puterii (max.)

85W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

182 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.25V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 37914 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

RD3T050CNTL1

NCH 200V 5A POWER MOSFET