Buy Rohm Semiconductor ES6U3T2CR MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

ES6U3T2CR

MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Numărul piesei

ES6U3T2CR

Producator/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SOT-563, SOT-666

Pachetul dispozitivului furnizorului

6-WEMT

Disiparea puterii (max.)

700mW (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Schottky Diode (Isolated)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

1.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 51070 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

ES6U1T2R

MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6