Buy ON Semiconductor IRFM120ATF MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

IRFM120ATF

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223

Numărul piesei

IRFM120ATF

Producator/Marca

ON Semiconductor

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-261-4, TO-261AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-223-4

Disiparea puterii (max.)

2.4W (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 1.15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 37990 PCS

Informații de contact