Buy ON Semiconductor FQB8N60CTM MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

FQB8N60CTM

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

Numărul piesei

FQB8N60CTM

Producator/Marca

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pachetul dispozitivului furnizorului

D²PAK (TO-263AB)

Disiparea puterii (max.)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

7.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 3.75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1255pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 46428 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

FQB85N06TM_AM002

MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK