Buy ON Semiconductor FDS5170N7 MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

FDS5170N7

MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC

Numărul piesei

FDS5170N7

Producator/Marca

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SO

Disiparea puterii (max.)

3W (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

10.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 10.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2889pF @ 30V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 54863 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

FDS5170N7

MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC