Buy NXP USA Inc. PMT200EN,115 MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

PMT200EN,115

MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

Numărul piesei

PMT200EN,115

Producator/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-261-4, TO-261AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-223

Disiparea puterii (max.)

800mW (Ta), 8.3W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

1.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 80V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 42738 PCS

Informații de contact