Buy NXP USA Inc. PMDPB28UN,115 MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

PMDPB28UN,115

MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6

Numărul piesei

PMDPB28UN,115

Producator/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

6-UDFN Exposed Pad

Putere - Max

510mW

Pachetul dispozitivului furnizorului

DFN2020-6

Tip FET

2 N-Channel (Dual)

Caracteristica FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37 mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

265pF @ 10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 34511 PCS

Informații de contact