Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
VP3203N3-G

VP3203N3-G

MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Numărul piesei
VP3203N3-G
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Bulk
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-92-3
Disiparea puterii (max.)
740mW (Ta)
Tip FET
P-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
650mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 10mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 48574 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale VP3203N3-G
VP3203N3-G Componente electronice
VP3203N3-G Vânzări
VP3203N3-G Furnizor
VP3203N3-G Distribuitor
VP3203N3-G Tabel de date
VP3203N3-G Fotografii
VP3203N3-G Preț
VP3203N3-G Oferi
VP3203N3-G Cel mai mic pret
VP3203N3-G Căutare
VP3203N3-G Achizitie
VP3203N3-G Chip