Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
VP2110K1-G

VP2110K1-G

MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
Numărul piesei
VP2110K1-G
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-236AB (SOT23)
Disiparea puterii (max.)
360mW (Ta)
Tip FET
P-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 18636 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale VP2110K1-G
VP2110K1-G Componente electronice
VP2110K1-G Vânzări
VP2110K1-G Furnizor
VP2110K1-G Distribuitor
VP2110K1-G Tabel de date
VP2110K1-G Fotografii
VP2110K1-G Preț
VP2110K1-G Oferi
VP2110K1-G Cel mai mic pret
VP2110K1-G Căutare
VP2110K1-G Achizitie
VP2110K1-G Chip