Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
Numărul piesei
LSIC1MO120E0120
Producator/Marca
Stare piese
Active
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-247-3
Disiparea puterii (max.)
139W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 14A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 7mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1125pF @ 800V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 51887 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale LSIC1MO120E0120
LSIC1MO120E0120 Componente electronice
LSIC1MO120E0120 Vânzări
LSIC1MO120E0120 Furnizor
LSIC1MO120E0120 Distribuitor
LSIC1MO120E0120 Tabel de date
LSIC1MO120E0120 Fotografii
LSIC1MO120E0120 Preț
LSIC1MO120E0120 Oferi
LSIC1MO120E0120 Cel mai mic pret
LSIC1MO120E0120 Căutare
LSIC1MO120E0120 Achizitie
LSIC1MO120E0120 Chip