Buy IXYS IXFN82N60Q3 MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Numărul piesei

IXFN82N60Q3

Producator/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet / Cutie

SOT-227-4, miniBLOC

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-227B

Disiparea puterii (max.)

960W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

66A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

275nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 38722 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B