Buy IXYS IXFN100N10S1 MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Numărul piesei

IXFN100N10S1

Producator/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet / Cutie

SOT-227-4, miniBLOC

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-227B

Disiparea puterii (max.)

360W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 38272 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B