Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFN80N50P

IXFN80N50P

MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
Numărul piesei
IXFN80N50P
Producator/Marca
Serie
PolarHV™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-227B
Disiparea puterii (max.)
700W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
12700pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 6324 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFN80N50P
IXFN80N50P Componente electronice
IXFN80N50P Vânzări
IXFN80N50P Furnizor
IXFN80N50P Distribuitor
IXFN80N50P Tabel de date
IXFN80N50P Fotografii
IXFN80N50P Preț
IXFN80N50P Oferi
IXFN80N50P Cel mai mic pret
IXFN80N50P Căutare
IXFN80N50P Achizitie
IXFN80N50P Chip