Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
Numărul piesei
IXFN70N60Q2
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-227B
Disiparea puterii (max.)
890W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7200pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 20167 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFN70N60Q2
IXFN70N60Q2 Componente electronice
IXFN70N60Q2 Vânzări
IXFN70N60Q2 Furnizor
IXFN70N60Q2 Distribuitor
IXFN70N60Q2 Tabel de date
IXFN70N60Q2 Fotografii
IXFN70N60Q2 Preț
IXFN70N60Q2 Oferi
IXFN70N60Q2 Cel mai mic pret
IXFN70N60Q2 Căutare
IXFN70N60Q2 Achizitie
IXFN70N60Q2 Chip