Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFN60N80P

IXFN60N80P

MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Numărul piesei
IXFN60N80P
Producator/Marca
Serie
PolarHV™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-227B
Disiparea puterii (max.)
1040W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
18000pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 36035 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFN60N80P
IXFN60N80P Componente electronice
IXFN60N80P Vânzări
IXFN60N80P Furnizor
IXFN60N80P Distribuitor
IXFN60N80P Tabel de date
IXFN60N80P Fotografii
IXFN60N80P Preț
IXFN60N80P Oferi
IXFN60N80P Cel mai mic pret
IXFN60N80P Căutare
IXFN60N80P Achizitie
IXFN60N80P Chip