Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFN420N10T

IXFN420N10T

MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
Numărul piesei
IXFN420N10T
Producator/Marca
Serie
GigaMOS™ HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-227B
Disiparea puterii (max.)
1070W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
670nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
47000pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 9606 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFN420N10T
IXFN420N10T Componente electronice
IXFN420N10T Vânzări
IXFN420N10T Furnizor
IXFN420N10T Distribuitor
IXFN420N10T Tabel de date
IXFN420N10T Fotografii
IXFN420N10T Preț
IXFN420N10T Oferi
IXFN420N10T Cel mai mic pret
IXFN420N10T Căutare
IXFN420N10T Achizitie
IXFN420N10T Chip