Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFN23N100

IXFN23N100

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Numărul piesei
IXFN23N100
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-227B
Disiparea puterii (max.)
600W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 41341 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFN23N100
IXFN23N100 Componente electronice
IXFN23N100 Vânzări
IXFN23N100 Furnizor
IXFN23N100 Distribuitor
IXFN23N100 Tabel de date
IXFN23N100 Fotografii
IXFN23N100 Preț
IXFN23N100 Oferi
IXFN23N100 Cel mai mic pret
IXFN23N100 Căutare
IXFN23N100 Achizitie
IXFN23N100 Chip