Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Numărul piesei
IXFN21N100Q
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-227B
Disiparea puterii (max.)
520W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5900pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 45986 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFN21N100Q
IXFN21N100Q Componente electronice
IXFN21N100Q Vânzări
IXFN21N100Q Furnizor
IXFN21N100Q Distribuitor
IXFN21N100Q Tabel de date
IXFN21N100Q Fotografii
IXFN21N100Q Preț
IXFN21N100Q Oferi
IXFN21N100Q Cel mai mic pret
IXFN21N100Q Căutare
IXFN21N100Q Achizitie
IXFN21N100Q Chip