Buy IXYS IXFN210N20P MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXFN210N20P

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Numărul piesei

IXFN210N20P

Producator/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet / Cutie

SOT-227-4, miniBLOC

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-227B

Disiparea puterii (max.)

1070W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

188A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 105A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

255nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

18600pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 22612 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B