Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFN170N30P

IXFN170N30P

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Numărul piesei
IXFN170N30P
Producator/Marca
Serie
Polar™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-227B
Disiparea puterii (max.)
890W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
258nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 32896 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFN170N30P
IXFN170N30P Componente electronice
IXFN170N30P Vânzări
IXFN170N30P Furnizor
IXFN170N30P Distribuitor
IXFN170N30P Tabel de date
IXFN170N30P Fotografii
IXFN170N30P Preț
IXFN170N30P Oferi
IXFN170N30P Cel mai mic pret
IXFN170N30P Căutare
IXFN170N30P Achizitie
IXFN170N30P Chip