Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFN160N30T

IXFN160N30T

MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
Numărul piesei
IXFN160N30T
Producator/Marca
Serie
GigaMOS™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-227B
Disiparea puterii (max.)
900W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
335nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
28000pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 31628 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFN160N30T
IXFN160N30T Componente electronice
IXFN160N30T Vânzări
IXFN160N30T Furnizor
IXFN160N30T Distribuitor
IXFN160N30T Tabel de date
IXFN160N30T Fotografii
IXFN160N30T Preț
IXFN160N30T Oferi
IXFN160N30T Cel mai mic pret
IXFN160N30T Căutare
IXFN160N30T Achizitie
IXFN160N30T Chip