Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

MOSFET N-CH
Numărul piesei
IXFN100N65X2
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
-
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-227B
Disiparea puterii (max.)
595W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
183nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10800pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 49897 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFN100N65X2
IXFN100N65X2 Componente electronice
IXFN100N65X2 Vânzări
IXFN100N65X2 Furnizor
IXFN100N65X2 Distribuitor
IXFN100N65X2 Tabel de date
IXFN100N65X2 Fotografii
IXFN100N65X2 Preț
IXFN100N65X2 Oferi
IXFN100N65X2 Cel mai mic pret
IXFN100N65X2 Căutare
IXFN100N65X2 Achizitie
IXFN100N65X2 Chip