Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFL32N120P

IXFL32N120P

MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
Numărul piesei
IXFL32N120P
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
ISOPLUSi5-Pak™
Pachetul dispozitivului furnizorului
ISOPLUSi5-Pak™
Disiparea puterii (max.)
520W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
21000pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 10704 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFL32N120P
IXFL32N120P Componente electronice
IXFL32N120P Vânzări
IXFL32N120P Furnizor
IXFL32N120P Distribuitor
IXFL32N120P Tabel de date
IXFL32N120P Fotografii
IXFL32N120P Preț
IXFL32N120P Oferi
IXFL32N120P Cel mai mic pret
IXFL32N120P Căutare
IXFL32N120P Achizitie
IXFL32N120P Chip