Buy Infineon Technologies SPD03N60C3BTMA1 MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SPD03N60C3BTMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK

Numărul piesei

SPD03N60C3BTMA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Stare piese

Last Time Buy

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-TO252-3

Disiparea puterii (max.)

38W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

3.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 135µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 36217 PCS

Informații de contact