Buy Infineon Technologies SPD02N50C3 MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SPD02N50C3

MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK

Numărul piesei

SPD02N50C3

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-TO252-3

Disiparea puterii (max.)

25W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

560V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

1.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 80µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 48102 PCS

Informații de contact