Buy Infineon Technologies IRLL014NTRPBF MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IRLL014NTRPBF

MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

Numărul piesei

IRLL014NTRPBF

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-261-4, TO-261AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-223

Disiparea puterii (max.)

1W (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

55V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4V, 10V

Vgs (Max)

±16V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 32665 PCS

Informații de contact