Buy Infineon Technologies IRFH3702TR2PBF MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

IRFH3702TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

Numărul piesei

IRFH3702TR2PBF

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-PowerVDFN

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-PQFN (3x3)

Disiparea puterii (max.)

2.8W (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

16A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 15V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 19737 PCS

Informații de contact