Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IRF1018ESLPBF

IRF1018ESLPBF

MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
Numărul piesei
IRF1018ESLPBF
Producator/Marca
Serie
HEXFET®
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-262
Disiparea puterii (max.)
110W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 18210 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IRF1018ESLPBF
IRF1018ESLPBF Componente electronice
IRF1018ESLPBF Vânzări
IRF1018ESLPBF Furnizor
IRF1018ESLPBF Distribuitor
IRF1018ESLPBF Tabel de date
IRF1018ESLPBF Fotografii
IRF1018ESLPBF Preț
IRF1018ESLPBF Oferi
IRF1018ESLPBF Cel mai mic pret
IRF1018ESLPBF Căutare
IRF1018ESLPBF Achizitie
IRF1018ESLPBF Chip