Buy Infineon Technologies IRF100P219XKMA1 TRENCH_MOSFETS

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IRF100P219XKMA1

TRENCH_MOSFETS

Numărul piesei

IRF100P219XKMA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

StrongIRFET™

Stare piese

Active

Ambalare

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-247-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-247AC

Disiparea puterii (max.)

341W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 278µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

12020pF @ 50V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 21144 PCS

Informații de contact