Buy Infineon Technologies IPSA70R2K0CEAKMA1 MOSFET N-CHANNEL 700V 4A IPAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IPSA70R2K0CEAKMA1

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A IPAK

Numărul piesei

IPSA70R2K0CEAKMA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Pachetul dispozitivului furnizorului

IPAK (TO-251)

Disiparea puterii (max.)

42W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

700V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 70µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

163pF @ 100V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 54814 PCS

Informații de contact