Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IPC50N04S55R8ATMA1

IPC50N04S55R8ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON
Numărul piesei
IPC50N04S55R8ATMA1
Producator/Marca
Serie
OptiMOS™
Stare piese
Active
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
8-PowerTDFN
Pachetul dispozitivului furnizorului
PG-TDSON-8
Disiparea puterii (max.)
42W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 13µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1090pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
7V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 6825 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1 Componente electronice
IPC50N04S55R8ATMA1 Vânzări
IPC50N04S55R8ATMA1 Furnizor
IPC50N04S55R8ATMA1 Distribuitor
IPC50N04S55R8ATMA1 Tabel de date
IPC50N04S55R8ATMA1 Fotografii
IPC50N04S55R8ATMA1 Preț
IPC50N04S55R8ATMA1 Oferi
IPC50N04S55R8ATMA1 Cel mai mic pret
IPC50N04S55R8ATMA1 Căutare
IPC50N04S55R8ATMA1 Achizitie
IPC50N04S55R8ATMA1 Chip