Buy Infineon Technologies IPC218N04N3X1SA1 MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IPC218N04N3X1SA1

MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

Numărul piesei

IPC218N04N3X1SA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Stare piese

Active

Ambalare

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

Die

Pachetul dispozitivului furnizorului

Sawn on foil

Disiparea puterii (max.)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

2A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 36762 PCS

Informații de contact