Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IPB407N30NATMA1

IPB407N30NATMA1

MOSFET N-CH TO263-3
Numărul piesei
IPB407N30NATMA1
Producator/Marca
Serie
OptiMOS™
Stare piese
Active
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pachetul dispozitivului furnizorului
D²PAK (TO-263AB)
Disiparea puterii (max.)
300W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40.7 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7180pF @ 100V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 46118 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IPB407N30NATMA1
IPB407N30NATMA1 Componente electronice
IPB407N30NATMA1 Vânzări
IPB407N30NATMA1 Furnizor
IPB407N30NATMA1 Distribuitor
IPB407N30NATMA1 Tabel de date
IPB407N30NATMA1 Fotografii
IPB407N30NATMA1 Preț
IPB407N30NATMA1 Oferi
IPB407N30NATMA1 Cel mai mic pret
IPB407N30NATMA1 Căutare
IPB407N30NATMA1 Achizitie
IPB407N30NATMA1 Chip