Buy Infineon Technologies IPAN50R500CEXKSA1 MOSFET NCH 500V 11.1A TO220-3

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IPAN50R500CEXKSA1

MOSFET NCH 500V 11.1A TO220-3

Numărul piesei

IPAN50R500CEXKSA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-220-3 Full Pack

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-TO220 Full Pack

Disiparea puterii (max.)

28W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

500V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

11.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 mOhm @ 2.3A, 13V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 200µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

18.7nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

433pF @ 100V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

13V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 42151 PCS

Informații de contact