Buy Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

BSS806NEH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Numărul piesei

BSS806NEH6327XTSA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-SOT23-3

Disiparea puterii (max.)

500mW (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57 mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

0.75V @ 11µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

529pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.8V, 2.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 12708 PCS

Informații de contact