Buy Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 MOSFET N-CH 4SOT223

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

BSP88H6327XTSA1

MOSFET N-CH 4SOT223

Numărul piesei

BSP88H6327XTSA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-261-4, TO-261AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-SOT223-4

Disiparea puterii (max.)

1.8W (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

240V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

350mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 108µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

2.8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 23060 PCS

Informații de contact