Buy Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

BSC100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

Numărul piesei

BSC100N06LS3GATMA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-PowerTDFN

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-TDSON-8

Disiparea puterii (max.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

12A (Ta), 50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 23µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 30V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 37293 PCS

Informații de contact