Buy GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA TRANS SJT 650V 4A TO276

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

2N7636-GA

TRANS SJT 650V 4A TO276

Numărul piesei

2N7636-GA

Producator/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tube

Tehnologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 225°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-276AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-276

Disiparea puterii (max.)

125W (Tc)

Tip FET

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4A (Tc) (165°C)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

415 mOhm @ 4A

Vgs(th) (Max) @ Id

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 35V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

Vgs (Max)

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 28682 PCS

Informații de contact