Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
EPC8002
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Numărul piesei
EPC8002
Producator/Marca
Serie
eGaN®
Stare piese
Active
Ambalare
Digi-Reel®
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de Operare
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
Die
Pachetul dispozitivului furnizorului
Die
Disiparea puterii (max.)
-
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
65V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
21pF @ 32.5V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 35527 PCS
Informații de contact
produse asemanatoare
Cuvinte cheie ale EPC8002
EPC8002 Componente electronice
EPC8002 Vânzări
EPC8002 Furnizor
EPC8002 Distribuitor
EPC8002 Tabel de date
EPC8002 Fotografii
EPC8002 Preț
EPC8002 Oferi
EPC8002 Cel mai mic pret
EPC8002 Căutare
EPC8002 Achizitie
EPC8002 Chip