Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
C3M0065090J

C3M0065090J

MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Numărul piesei
C3M0065090J
Producator/Marca
Serie
C3M™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pachetul dispozitivului furnizorului
D2PAK-7
Disiparea puterii (max.)
113W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 5mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
15V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 36559 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale C3M0065090J
C3M0065090J Componente electronice
C3M0065090J Vânzări
C3M0065090J Furnizor
C3M0065090J Distribuitor
C3M0065090J Tabel de date
C3M0065090J Fotografii
C3M0065090J Preț
C3M0065090J Oferi
C3M0065090J Cel mai mic pret
C3M0065090J Căutare
C3M0065090J Achizitie
C3M0065090J Chip