The H11G1M and H11G2M are opto-Darlington optocouplers. These devices feature a GaAs infrared emitting diode coupled to a silicon Darlington junction phototransistor with an integrated base-emitter resistor for optimized high temperature characteristics.
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.