Buy Vishay Siliconix SUD50N10-34P-T4-E3 MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SUD50N10-34P-T4-E3

MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252

Numărul piesei

SUD50N10-34P-T4-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-252, (D-Pak)

Disiparea puterii (max.)

2.5W (Ta), 56W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

5.9A (Ta), 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 44418 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SUD50N02-04P-E3

MOSFET N-CH 20V 50A DPAK