Buy Vishay Siliconix SQJ488EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SQJ488EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Numărul piesei

SQJ488EP-T1_GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8

Disiparea puterii (max.)

83W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

979pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 8817 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SQJ401EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8