Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SQJ479EP-T1_GE3

SQJ479EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8
Numărul piesei
SQJ479EP-T1_GE3
Producator/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Cut Tape (CT)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
PowerPAK® SO-8
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® SO-8
Disiparea puterii (max.)
68W (Tc)
Tip FET
P-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 29334 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SQJ479EP-T1_GE3
SQJ479EP-T1_GE3 Componente electronice
SQJ479EP-T1_GE3 Vânzări
SQJ479EP-T1_GE3 Furnizor
SQJ479EP-T1_GE3 Distribuitor
SQJ479EP-T1_GE3 Tabel de date
SQJ479EP-T1_GE3 Fotografii
SQJ479EP-T1_GE3 Preț
SQJ479EP-T1_GE3 Oferi
SQJ479EP-T1_GE3 Cel mai mic pret
SQJ479EP-T1_GE3 Căutare
SQJ479EP-T1_GE3 Achizitie
SQJ479EP-T1_GE3 Chip