Buy Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Numărul piesei

SQJ262EP-T1_GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8 Dual

Putere - Max

27W (Tc), 48W (Tc)

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Tip FET

2 N-Channel (Dual)

Caracteristica FET

Standard

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

15A (Tc), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V, 23nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V, 1260pF @ 25V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 37385 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO