Buy Vishay Siliconix SQD50P04-09L_GE3 MOSFET P-CH 40V 50A

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SQD50P04-09L_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A

Numărul piesei

SQD50P04-09L_GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-252, (D-Pak)

Disiparea puterii (max.)

136W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

6675pF @ 20V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 16915 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SQD50N04-09H-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252