Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SQ2389ES-T1_GE3

SQ2389ES-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 40V SO23
Numărul piesei
SQ2389ES-T1_GE3
Producator/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Digi-Reel®
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-23-3 (TO-236)
Disiparea puterii (max.)
3W (Tc)
Tip FET
P-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
94 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 20V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 29638 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SQ2389ES-T1_GE3
SQ2389ES-T1_GE3 Componente electronice
SQ2389ES-T1_GE3 Vânzări
SQ2389ES-T1_GE3 Furnizor
SQ2389ES-T1_GE3 Distribuitor
SQ2389ES-T1_GE3 Tabel de date
SQ2389ES-T1_GE3 Fotografii
SQ2389ES-T1_GE3 Preț
SQ2389ES-T1_GE3 Oferi
SQ2389ES-T1_GE3 Cel mai mic pret
SQ2389ES-T1_GE3 Căutare
SQ2389ES-T1_GE3 Achizitie
SQ2389ES-T1_GE3 Chip